CMOS传感器的满井容量（Full Well Capacity）是指CMOS传感器中单个像素的像素井在曝光过程中能够存储的最大电子数量。这个参数对于理解传感器的动态范围和性能至关重要。
在CMOS传感器中，每个像素都有一个电容结构，称为像素井，用于收集由光子转换成的电子。当光线照射到传感器上时，光子会被转换成电子，这些电子会被存储在像素井中。满井容量决定了在像素井中可以存储的最大电子数量，超过这个数量后，多余的电子将无法被存储，导致信号饱和。
满井容量的单位通常是电子数（e-），常见的值在几百万到几千万电子之间。满井容量越高，传感器能够捕捉的光线范围就越广，动态范围也就越大。动态范围是指传感器能够同时处理的最小和最大光强的能力，高动态范围的传感器在拍摄高对比度场景时表现更好，能够同时保留亮部和暗部的细节。
影响满井容量的因素包括像素尺寸、像素井的电容和传感器的制造工艺。通常，较大的像素尺寸和较高的像素井电容会提高满井容量。此外，传感器的制造工艺也会影响满井容量，先进的制造技术可以提供更高的满井容量和更好的性能。
满井容量是评价CMOS传感器性能的重要指标之一，它直接关系到传感器的动态范围和图像质量。在摄影和视频应用中，高满井容量的传感器能够提供更好的图像细节和更宽的曝光范围，从而在各种复杂光照条件下都能获得高质量的图像。