内存时序是指内存模块在接收和响应命令时的延迟和精度要求。它涉及到内存控制器与内存模块之间的通信协议，包括命令的传输时间、时钟周期以及数据稳定性等多个方面。内存时序通常以时钟周期数来表示，例如CL（CAS Latency，列地址选通延迟）、tRCD（RAS to CAS Delay，行地址选通到列地址选通延迟）、tRP（RAS Precharge Time，行预充电时间）和tRAS（Active to Precharge Delay，行激活到预充电延迟）等参数。这些参数直接影响内存的读写速度和系统性能。优化内存时序可以提高内存的响应速度，从而提升整体系统性能。在超频或高性能计算中，调整内存时序是一项重要的优化手段。