CMOS传感器在极端环境下的表现受到多种因素的影响，包括温度、湿度、振动和电磁干扰等。首先，温度对CMOS传感器的影响显著。在低温环境下，传感器的灵敏度可能会下降，而高温环境可能导致传感器过热，从而影响其性能和寿命。为了应对温度变化，现代CMOS传感器通常配备有温度补偿机制，以保持其稳定性。
其次，湿度也是影响CMOS传感器性能的重要因素。高湿度环境可能导致传感器表面凝结，影响图像质量。此外，湿气还可能腐蚀传感器电路，缩短其使用寿命。因此，在湿度较高的环境中使用CMOS传感器时，通常需要采取防潮措施。
振动和冲击也会对CMOS传感器造成影响。在振动环境中，传感器可能会因为机械振动而产生图像模糊或噪声。而在冲击环境下，传感器可能会受到物理损伤，导致性能下降甚至失效。为了提高传感器的抗震性能，可以采用加固材料和设计抗振结构。
电磁干扰（EMI）是另一个需要考虑的因素。强电磁场可能会干扰CMOS传感器的信号传输，导致图像质量下降。为了减少电磁干扰的影响，可以采用屏蔽材料和设计低噪声电路。
此外，CMOS传感器在极端环境下的功耗也是一个重要问题。在低功耗应用中，如便携式设备，CMOS传感器需要具备低功耗特性，以延长电池寿命。现代CMOS传感器通常采用低功耗设计，以适应不同应用需求。
综上所述，CMOS传感器在极端环境下的表现受到多种因素的影响，但通过采用温度补偿、防潮措施、抗震设计和低功耗设计等方法，可以有效提高其在极端环境下的性能和稳定性。