非易失性内存（Non-Volatile Memory，NVM）是一种即使在断电后也能保持存储数据的内存技术。与易失性内存（如RAM）不同，易失性内存在失去电源时会丢失其存储的信息。非易失性内存广泛应用于各种电子设备中，包括计算机、手机、固态硬盘（SSD）、存储卡等。
非易失性内存的主要特点包括：
持久性：非易失性内存能够在断电后保持数据，这对于需要长期存储数据的设备至关重要。
速度：现代的非易失性内存技术，如3D NAND和NVMe，已经实现了比传统机械硬盘更快的读写速度，同时也比某些类型的易失性内存（如DRAM）具有更高的存储密度。
耐用性：非易失性内存通常具有更高的耐久性，可以承受更多的写入和擦除周期，这使得它在需要频繁写入数据的设备中尤为适用。
能耗：某些非易失性内存技术，如FRAM（铁电存储器）和MRAM（磁阻随机存取存储器），具有较低的能耗，适用于需要长电池寿命的设备。
非易失性内存的技术种类繁多，包括：
闪存（Flash Memory）：这是最常见的非易失性内存类型，广泛应用于SSD、U盘和存储卡中。闪存通过浮栅晶体管来存储数据，常见的类型有SLC、MLC、MLC和TLC等。
相变存储器（Phase-Change Memory，PCM）：PCM使用材料的相变（如从固态到液态）来存储数据，具有高密度和长寿命的特点。
铁电存储器（Ferroelectric Random-Access Memory，FRAM）：FRAM使用铁电材料来存储数据，具有极快的读写速度和极高的耐久性。
磁阻随机存取存储器（Magnetic Random-Access Memory，MRAM）：MRAM利用磁性材料来存储数据，具有非易失性、高速和低能耗的特点。
阻变随机存取存储器（Resistive Random-Access Memory，RRAM）：RRAM通过改变材料的电阻状态来存储数据，具有高密度和低功耗的潜力。
非易失性内存的发展对于提升电子设备的性能和效率具有重要意义。随着技术的不断进步，非易失性内存将在更多领域得到应用，推动存储技术的发展。